美光宣布向多个关键客户出样 HBM4 36GB 12Hi 内存

HBM4，有了新进展。

在AI计算时代，HBM有着举足轻重的地位。高带宽内存（HBM）是通过垂直堆叠多个DRAM芯片，大幅提升数据处理速度，超越传统DRAM的能力，是一种高价值、高性能的产品。HBM的爆火伴随着2023年ChatGPT的出现，它引发了人工智能市场的爆发式增长。自第一代HBM诞生以来，这项技术已发展至第六代，包括HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4。

6 月 10 日消息，美光美国爱达荷州博伊西当地时间今日宣布向多个关键客户交付其 HBM4 36GB 12Hi 内存样品。

美光的 HBM4 36GB 12Hi 基于其成熟的 1ß 工艺 24Gb DRAM Die 和 12 层堆叠封装技术，每个堆栈的速度超过 2.0TB/s，性能较上代 HBM3E 提升 60% 以上，同时能效也实现了 20% 的改进；此外其拥有强大的 MBIST 内存内置自检功能。

美光表示其 HBM4 内存提升了逻辑 xPU 与内存间的数据交互，让 AI 加速器能更快地响应并更有效地进行推理。该企业计划在 2026 年实现 HBM4 的产能爬坡，与客户的下一代 AI 平台量产节奏保持一致。

3月19日，韩国半导体供应商SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并在全球首次向主要客户提供其样品。SK海力士表示，公司将在下半年完成量产准备。

HBM4属于第六代HBM产品，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。SK海力士引入了在HBM3E获得认可的Advanced MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量，I/O接口速度达8Gbps，带宽可提高至2TB/s。新工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。

据SK海力士介绍，4月在台积电北美技术论坛上展示的16层堆叠HBM4具有高达 48 GB 的容量、2.0 TB/s 带宽和额定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die则是由台积电代工。SK 海力士表示，他们正在寻求在 2025 年下半年之前进行大规模生产，这意味着该工艺最早可能在今年年底集成到产品中。

SK海力士已经稳固了Nvidia AI半导体“Blackwell”系列HBM3E的主要供应商地位，并且有望在全球率先供应预定于今年年底量产的下一代HBM4样品，从而继续保持领先地位。截至去年第四季度，HBM 占 SK 海力士 DRAM 总销售额的 40% 以上。

三星也正奋起直追，计划在今年下半年启动HBM4的量产。三星存储业务负责人全永铉(Jun Young-hyun)表示，三星在HBM市场未能先行，导致这一领域的表现落后于竞争对手SK海力士(SK Hynix)。他强调，三星不会在下一代HBM4和定制晶圆上重蹈覆辙，所以要追赶上来。

面对SK海力士在HBM领域的领先地位，三星正在依托自身在存储芯片和晶圆代工领域的整合能力迎战。1月5日据韩国朝鲜日报报导，三星DS部门存储业务部已完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计，采用三星自己的4nm试产。待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供HBM4样品验证。目标是在上半年内完成量产准备认可（PRA）程序，外界推测这可能是未来与英伟达Rubin的发布时间相迎合。

三星预计，4nm晶圆代工工艺将加速HBM4生产，使其在市场竞争中占据优势。4nm是三星的旗舰晶圆代工制造工艺，其良率超过70%。目前，该工艺已被用于Exynos 2400芯片，该芯片是三星旗舰AI手机Galaxy S24系列的核心处理器。

根据TrendForce集邦咨询最新研究，HBM技术发展受AI Server需求带动，三大原厂积极推进HBM4产品进度。由于HBM4的I/O（输入/输出接口）数增加，复杂的芯片设计使得晶圆面积增加，且部分供应商产品改采逻辑芯片架构以提高性能，皆推升了成本。鉴于HBM3e刚推出时的溢价比例约为20%，预计制造难度更高的HBM4溢价幅度将突破30%。

AI芯片领先厂商英伟达于今年GTC大会亮相最新Rubin GPU，AMD则有MI400与之抗衡，上述产品都将搭载HBM4。

由于需求强劲，TrendForce集邦咨询预估2026年HBM市场总出货量预计将突破30Billion Gb，HBM4的市占率则随着供应商持续放量而逐季提高，预计于2026年下半正式超越HBM3e系列产品，成为市场主流。至于供应商表现，预期SK hynix将以过半的市占率稳居领导地位，Samsung与Micron（美光科技）仍待产品良率与产能表现进一步提升，才有机会在HBM4市场迎头赶上。

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